C2M0160120D
C2M0160120D
5507
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $17.50 |
Технические характеристики
| Сопутствующий материал | |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 527pF @ 800V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 17.7A (Tc) |
| Минимальная упаковка шт. | 30 |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Рекомендуемый продукт |
Cree - C2M Family of Silicon Carbide Power MOSFETs |
| Тип полевого транзистора | SiCFET N-Channel, Silicon Carbide |
| Заряд затвора | 32.6nC @ 20V |
| Кейс\упаковка | TO-247-3 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Tube |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-247-3 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 500??A |
| Техническое описание |
C2M0160120D |
| Категория в каталоге | Silicon Carbide (SiC) Standard FETs |
| Тип крепления | Through Hole |
| Включенная служба передачи радиоданных | 196 mOhm @ 10A, 20V |
| Максимальная мощность | 125W |
| Серии | Z-FET??? |
| Группа | FETs - Single |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
