Продвинутые ASFET-транзисторы Nexperia: надёжное решение для высокомощных приложений

Nexperia представляет новые транзисторы PSMN047-100NSE и PSMN071-100NSE, разработанные специально для высокомощных приложений с повышенными требованиями к тепловому управлению. Эти N-канальные полевые транзисторы (ASFET) обладают максимальным напряжением между истоком и стоком 100 В, что делает их идеальными для использования в системах Power-over-Ethernet (PoE), управлении пусковыми токами, электронных предохранителях и замене реле.

Модель PSMN047-100NSE отличается низким сопротивлением открытого канала RDS(ON) — всего 53 мОм, обеспечивая минимальные потери мощности. В свою очередь, PSMN071-100NSE предлагает RDS(ON) на уровне 71 мОм, сохраняя баланс между производительностью и эффективностью. Оба устройства заключены в компактные корпуса DFN2020, которые на 60% меньше традиционных LFPAK33, что позволяет существенно экономить место при разработке электроники. Ключевыми особенностями этих ASFET являются расширенная безопасная рабочая зона (SOA), низкие токи утечки и превосходные тепловые характеристики. Благодаря этим преимуществам транзисторы идеально подходят для PoE-систем, управления аккумуляторами и инфраструктуры 5G. Решения от Nexperia обеспечивают высокую надёжность и оптимизированное энергопотребление, что делает их универсальным выбором для сложных технических задач.