MOSFET-транзисторы серии UMOS 11 от Toshiba

MOSFET-транзисторы серии UMOS 11 от Toshiba созданы для инженеров, которым необходимы решения с высокой энергетической эффективностью, компактным дизайном и стабильными характеристиками коммутации. Новое поколение транзисторов основано на усовершенствованной trench-структуре, что обеспечивает снижение сопротивления канала (RDS(on)), уменьшение заряда обратного восстановления (QRR) и заряда выходной ёмкости (Qoss). Благодаря этому улучшается поведение при переключении и сокращаются потери энергии. MOSFETы на базе технологии UMOS 11 подходят для широкого спектра применений, включая DC/DC-преобразователи, моторные драйверы, источники питания серверного оборудования и блоки питания для телекоммуникационных и промышленных систем. Серия охватывает диапазон рабочих напряжений от 40 В до 100 В и выпускается в компактных корпусах 5 мм × 6 мм и 3 мм × 3 мм, что делает её удобной для использования в пространствах с ограниченной площадью монтажа и позволяет проектировать более компактные устройства без ущерба для мощности и надёжности.