DMN21D2UFB-7B
DMN21D2UFB-7B
20916
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.94 |
| 10 | $0.66 |
| 1000 | $0.20 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
DMN21D2UFB |
| Включенная служба передачи радиоданных | 990 mOhm @ 100mA, 4.5V |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Поставляемая упаковка продукта | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Информация относительно правил ограничения содержания вредных веществ |
RoHS Cert of Compliance |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Альтернативные названия | DMN21D2UFB-7BDICT |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | 3-XFDFN |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Заряд затвора | 0.93nC @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Группа | FETs - Single |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 760mA (Ta) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 27.6pF @ 16V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Серии | - |
| Максимальная мощность | 900mW |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
