DMN26D0UFB4-7
DMN26D0UFB4-7
234000
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.14 |
Технические характеристики
| Альтернативные названия | DMN26D0UFB4-7DITR DMN26D0UFB47 |
| Информация относительно правил ограничения содержания вредных веществ |
RoHS Cert of Compliance |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 230mA (Ta) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 14.1pF @ 15V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Поставляемая упаковка продукта | 3-DFN1006H4 (1.0x0.6) |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Bond Wire 11/Nov/2011 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Кейс\упаковка | 3-XFDFN |
| Максимальная мощность | 350mW |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Группа | FETs - Single |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Серии | - |
| Техническое описание |
DMN26D0UFB4 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Заряд затвора | - |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
