FDB8860
FDB8860
800
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $6.62 |
| 10 | $5.98 |
| 100 | $4.81 |
Технические характеристики
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 12585pF @ 15V |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D??Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Серии | PowerTrench?? |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Поставляемая упаковка продукта | D??PAK |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Альтернативные названия | FDB8860CT |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 80A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250??A |
| Техническое описание |
FDB8860 |
| Дата упаковки |
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 |
| Максимальная мощность | 254W |
| Группа | FETs - Single |
| Заряд затвора | 214nC @ 10V |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 2.3 mOhm @ 80A, 10V |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
