FDG312P
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.00 |
| 10 | $0.83 |
| 1000 | $0.35 |
Технические характеристики
| Поставляемая упаковка продукта | SC-70-6 |
| Кейс\упаковка | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Группа | FETs - Single |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 5nC @ 4.5V |
| Техническое описание |
FDG312P |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
| Дата упаковки |
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 180 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Максимальная мощность | 480mW |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 330pF @ 10V |
| Серии | PowerTrench® |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Альтернативные названия | FDG312PDKR |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
