FDS6675
FDS6675
2286
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.48 |
| 10 | $3.14 |
| 1000 | $1.62 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Альтернативные названия | FDS6675DKR |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Включенная служба передачи радиоданных | 14 mOhm @ 11A, 10V |
| Максимальная мощность | 1W |
| Заряд затвора | 42nC @ 5V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3000pF @ 15V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 11A (Ta) |
| Серии | PowerTrench® |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Группа | FETs - Single |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Техническое описание |
FDS6675 |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SOIC N |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
