FJV3113RMTF
FJV3113RMTF
1743
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.44 |
| 10 | $0.40 |
| 1000 | $0.09 |
Технические характеристики
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 2.2k |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 68 @ 5mA, 5V |
| Установка персональной сети передачи данных |
SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 |
| Техническое описание |
FJV3113R |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Дата упаковки |
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
| Альтернативные названия | FJV3113RMTFCT |
| Серии | - |
| Максимальная мощность | 200mW |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 47k |
| Переходная частота | 250MHz |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
