HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A
6782
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.20 |
| 10 | $2.87 |
| 1000 | $1.46 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN |
| Вид ввода данных | Standard |
| Дата упаковки |
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 |
| Группа | IGBTs - Single |
| Максимальная мощность | 60W |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 5.3A |
| Напряжение Эмиттера (on) (макс.) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
| Время восстановления при переключении в обратное направление | - |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
| Тип биполярного транзистора с изолированным затвором | NPT |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 1200V |
| Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Альтернативные названия | HGTD1N120BNS9ACT |
| Тд (ВКЛ\ВЫКЛ) @ 25°C | 15ns/67ns |
| Энергия, затрачиваемая на коммутацию | 70µJ (on), 90µJ (off) |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-252AA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Токосъёмник (импульсн.) | 6A |
| Заряд затвора | 14nC |
| Серии | - |
| Режим для испытаний | 960V, 1A, 82 Ohm, 15V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
