IRF1010EZPBF
IRF1010EZPBF
886
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.26 |
| 50 | $2.60 |
| 1000 | $1.39 |
Технические характеристики
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Техническое описание |
IRF1010EZ (S,L) PbF |
| Включенная служба передачи радиоданных | 8.5 mOhm @ 51A, 10V |
| Установка персональной сети передачи данных |
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Заряд затвора | 86nC @ 10V |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Максимальная мощность | 140W |
| Тип крепления | Through Hole |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Альтернативные названия | *IRF1010EZPBF |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2810pF @ 25V |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 75A (Tc) |
| Упаковка | Tube |
| Ресурсы исполнения |
IRF1010EZ Saber Model IRF1010EZ Spice Model |
| Серии | HEXFET® |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 100µA |
| Группа | FETs - Single |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
