IRF1018EPBF
IRF1018EPBF
3172
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.58 |
| 10 | $2.28 |
| 1000 | $1.10 |
Технические характеристики
| Упаковка | Tube |
| Включенная служба передачи радиоданных | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Максимальная мощность | 110W |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 100??A |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 79A (Tc) |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Тип крепления | Through Hole |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 01/Apr/2014 |
| Техническое описание |
IRF1018E (S,SL) PBF |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Группа | FETs - Single |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Серии | HEXFET?? |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Заряд затвора | 69nC @ 10V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
