IRF3415PBF
IRF3415PBF
5813
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.98 |
| 50 | $3.21 |
| 1000 | $1.86 |
Технические характеристики
| Ресурсы исполнения |
IRF3415PBF Saber Model IRF3415PBF Spice Model |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Заряд затвора | 200nC @ 10V |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Включенная служба передачи радиоданных | 42 mOhm @ 22A, 10V |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Тип крепления | Through Hole |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150V |
| Упаковка | Tube |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Техническое описание |
IRF3415PbF |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 43A (Tc) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Альтернативные названия | *IRF3415PBF |
| Серии | HEXFET® |
| Максимальная мощность | 200W |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
