IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF
3271
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.16 |
| 10 | $0.97 |
| 1000 | $0.41 |
Технические характеристики
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.059", 1.50mm Width) |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 88pF @ 25V |
| Ресурсы исполнения |
IRF5801TRPBF Saber Model IRF5801TRPBF Spice Model |
| Максимальная мощность | 2W |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Альтернативные названия | IRF5801TRPBFCT |
| Группа | FETs - Single |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 3.9nC @ 10V |
| Серии | HEXFET® |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Включенная служба передачи радиоданных | 2.2 Ohm @ 360mA, 10V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Техническое описание |
IRF5801PBF |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Поставляемая упаковка продукта | Micro6™(TSOP-6) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА

