IRF5802TRPBF
IRF5802TRPBF
3000
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.40 |
Технические характеристики
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 88pF @ 25V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Альтернативные названия | IRF5802TRPBF-ND IRF5802TRPBFTR |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150V |
| Заряд затвора | 6.8nC @ 10V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
IRF5802PBF |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.059", 1.50mm Width) |
| Включенная служба передачи радиоданных | 1.2 Ohm @ 540mA, 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | Micro6™(TSOP-6) |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Группа | FETs - Single |
| Ресурсы исполнения |
IRF5802TR Saber Model IRF5802TR Spice Model |
| Серии | HEXFET® |
| Максимальная мощность | 2W |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
