IRF6706S2TR1PBF
IRF6706S2TR1PBF
883
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $4.64 |
| 10 | $4.19 |
| 500 | $2.62 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
IRF6706S2TR(1)PbF |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
| Устаревание персональной сети передачи данных\конец линии |
Gen 10.x Products 12/Dec/2012 |
| Ресурсы исполнения |
IRF6706S2TR1PBF Saber Model IRF6706S2TR1PBF Spice Model |
| Чертёж |
IR Hexfet Circuit |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1810pF @ 13V |
| Кейс\упаковка | DirectFET™ Isometric S1 |
| Заряд затвора | 20nC @ 4.5V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 3.8 mOhm @ 17A, 10V |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Альтернативные названия | IRF6706S2TR1PBFCT |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Серии | HEXFET® |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Поставляемая упаковка продукта | DIRECTFET S1 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Модули обучения обращения с продуктами |
Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 17A (Ta), 63A (Tc) |
| Группа | FETs - Single |
| Максимальная мощность | 1.8W |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
