IRF7341TRPBF
IRF7341TRPBF
32000
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 4000 | $0.97 |
Технические характеристики
| Тип крепления | Surface Mount |
| Альтернативные названия | IRF7341PBFTR |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 4.7A |
| Максимальная мощность | 2W |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55V |
| Заряд затвора | 36nC @ 10V |
| Минимальная упаковка шт. | 4,000 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Группа | FETs - Arrays |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Техническое описание |
IRF7341PbF |
| Серии | HEXFET® |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
