IRF8010PBF
IRF8010PBF
470
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $4.60 |
| 50 | $3.71 |
| 1000 | $2.15 |
Технические характеристики
| Альтернативные названия | *IRF8010PBF |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Серии | HEXFET® |
| Максимальная мощность | 260W |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3830pF @ 25V |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Тип крепления | Through Hole |
| Техническое описание |
IRF8010PbF |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 80A (Tc) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Включенная служба передачи радиоданных | 15 mOhm @ 45A, 10V |
| Ресурсы исполнения |
IRF8010PBF Saber Model IRF8010PBF Spice Model |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Заряд затвора | 120nC @ 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
