IRFB4127PBF
IRFB4127PBF
860
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $8.48 |
| 10 | $7.56 |
| 1000 | $4.24 |
Технические характеристики
| Упаковка | Tube |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 76A (Tc) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 5380pF @ 50V |
| Максимальная мощность | 375W |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Техническое описание |
IRFB4127PBF |
| Включенная служба передачи радиоданных | 20 mOhm @ 44A, 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Тип крепления | Through Hole |
| Группа | FETs - Single |
| Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA |
| Серии | HEXFET® |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Заряд затвора | 150nC @ 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
