IRFB4332PBF
IRFB4332PBF
941
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $8.78 |
50 | $7.05 |
1000 | $4.39 |
Технические характеристики
Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 5860pF @ 25V |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Включенная служба передачи радиоданных | 33 mOhm @ 35A, 10V |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Группа | FETs - Single |
Техническое описание |
IRFB4332PbF |
Заряд затвора | 150nC @ 10V |
Кейс\упаковка | TO-220-3 |
Максимальная мощность | 390W |
Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
Минимальная упаковка шт. | 50 |
Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Серии | HEXFET?? |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 60A (Tc) |
Тип крепления | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250??A |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 250V |
Ресурсы исполнения |
IRFB4332PBF Saber Model IRFB4332PBF Spice Model |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА