IRFS7440PBF
IRFS7440PBF
0
Под заказ
N-Channel 40V 120A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|
Технические характеристики
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Максимальная мощность | 208W |
| Включенная служба передачи радиоданных | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 4730pF @ 25V |
| Рекомендуемый продукт |
StrongIRFET™ Power MOSFET Family |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.9V @ 100µA |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 120A (Tc) |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-263 (D²Pak) |
| Упаковка | Tube |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Заряд затвора | 135nC @ 10V |
| Группа | FETs - Single |
| Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Wafer Process 30/Jul/2013 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 22/Nov/2013 |
| Серии | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Техническое описание |
IRFS(L)7440PbF |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА

