IRG7PH35UDPBF
IRG7PH35UDPBF
340
IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $15.84 |
| 25 | $13.65 |
| 1000 | $8.99 |
Технические характеристики
| Напряжение Эмиттера (on) (макс.) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-247AC |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Минимальная упаковка шт. | 25 |
| Кейс\упаковка | TO-247-3 |
| Максимальная мощность | 180W |
| Заряд затвора | 85nC |
| Вид ввода данных | Standard |
| Тип биполярного транзистора с изолированным затвором | Trench |
| Тд (ВКЛ\ВЫКЛ) @ 25°C | 30ns/160ns |
| Режим для испытаний | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 50A |
| Категория в каталоге | Standard IGBTs |
| Упаковка | Tube |
| Группа | IGBTs - Single |
| Тип крепления | Through Hole |
| Время восстановления при переключении в обратное направление | 105ns |
| Энергия, затрачиваемая на коммутацию | 1.06mJ (on), 620??J (off) |
| Модули обучения обращения с продуктами |
IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Серии | - |
| Токосъёмник (импульсн.) | 60A |
| Техническое описание |
IRG7PH35UDPbF/UD-EP |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 1200V |
| Установка персональной сети передачи данных |
IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
