IRLHS6376TRPBF
IRLHS6376TRPBF
19209
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.46 |
| 10 | $1.24 |
| 1000 | $0.53 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Arrays |
| Кейс\упаковка | 6-VDFN Exposed Pad |
| Серии | HEXFET® |
| Техническое описание |
IRLHS6376PBF |
| Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Ресурсы исполнения |
IRLHS6376TR2PBF Saber Model IRLHS6376TR2PBF Spice Model |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Заряд затвора | 2.8nC @ 4.5V |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-PQFN (2x2) |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 3.6A |
| Включенная служба передачи радиоданных | 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Альтернативные названия | IRLHS6376TRPBFDKR |
| Максимальная мощность | 1.5W |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
