DS1230Y-200IND+
DS1230Y-200IND+
IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $64.66 |
| 10 | $61.43 |
| 250 | $46.30 |
Технические характеристики
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Группа | Memory |
| Категория | Integrated Circuits (ICs) |
| Техническое описание |
DS1230Y, AB |
| Примечание по применению генератора магнитного поля |
Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems Adding Nonvolatile SRAM into Embedded Systems NV SRAM Frequently Asked Questions Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table Timing Considerations When Using NVSRAM NV SRAM Device Programmers Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components Lithium Battery Content in Maxim Products |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Скорость | 200ns |
| Модули обучения обращения с продуктами |
Lead (SnPb) Finish for COTS Long-Term Supply Program |
| Поставляемая упаковка продукта | 28-EDIP |
| Тип памяти | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Кейс\упаковка | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Интерфейс | Parallel |
| Подаваемое напряжение | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Серии | - |
| Объем памяти | 256K (32K x 8) |
| Упаковка | Tube |
| Формат памяти | RAM |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
