Главная
→
Каталог
→
MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION

MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION

Список компонентов:

На нашем веб-сайте Вы можете найти необходимые электронные компоненты и, пройдя процедуру регистрации самостоятельно сформировать заказ. Это позволит нашим менеджерам максимально быстро и точно выставить вам счет.

Название	Производитель	Цена
BWM262 интегральный смеситель частоты: RF=4.000-12.000GHz	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
MSA4000-30 интегральный акселерометр MEMS: ±30g 66.6±2mV/g 1.	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC15200C-1317SD интегральный аттенюатор цифровой: 5-bit 13.000-17.	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
MSA6000-200 интегральный датчик вибрации MEMS: ±200g 10±1mV/g	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC15211C-1214SD интегральный аттенюатор цифровой: 6-bit 1.200-1.40	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC11698C-3240P10 интегральный усилитель мощности GaN: 32.000-40.000	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
HEG602B транзистор GaN внутрисогласованный: 4.400-5.000GHz	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
3DA530 транзистор импульсный кремниевый: 2.8-3.1GHz 110dB	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC17003C-2440 интегральный смеситель частоты двойной балансный:	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
HEG823M транзистор GaN: 1.200-1.400GHz усиление=14dB Psat=	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC4341S-1214P650 транзистор GaN: 1.200-1.400 GHz усиление=15dB Psat	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
BW138 интегральный переключатель GaN SPDT: 8.000-12.000G	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
HEG060E транзистор GaN внутрисогласованный: 0.990-1.150GHz	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
3DA510 транзистор импульсный кремниевый: 1.2-1.4GHz 110dB	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC11632C-1418P7 интегральный усилитель мощности GaN: 14-18GHz Gain	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC4359S-1214P560 транзистор GaN: 1.200-1.400 GHz усиление=15dB Psat	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC31601MC-2731P200 интегральный усилитель мощности GaN: 2.700-3.100 G	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC41141S-2223 транзистор полевой GaAs внутрисогласованный: 2.13-	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
NC1670C-218 интегральный переключатель PIN GaAs SPDT: 2.0-18GH	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить
HEG044E транзистор GaN внутрисогласованный: 0.890-1.000GHz	MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION	$0.00	Купить

1 ... 30 31 32 33 34 35 36 ... 61

Товаров

КОРЗИНА ПУСТА

MICRO ELECTRONIC TECHNOLOGY DEVELOPMENT APPLICATION

Список компонентов:

Личный кабинет

Официальный дистрибьютор