DTC114EET1G
DTC114EET1G
12000
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.05 |
| 6000 | $0.05 |
| 150000 | $0.03 |
Технические характеристики
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Поставляемая упаковка продукта | SC-75, SOT-416 |
| Переходная частота | - |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Максимальная мощность | 200mW |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Категория в каталоге | NPN Pre-biased Transistors |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Copper Wire 29/Oct/2009 |
| Кейс\упаковка | SC-75, SOT-416 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Техническое описание |
MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3 |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 10k |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Альтернативные названия | DTC114EET1GOS DTC114EET1GOS-ND DTC114EET1GOSTR |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300??A, 10mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 35 @ 5mA, 10V |
| Серии | - |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
