MMBFJ175LT1G
MMBFJ175LT1G
36000
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.28 |
Технические характеристики
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Расход тока @ (вакуумный захват=0) | 7mA @ 15V |
| Макс. расход тока | - |
| Пробой напряжения (V(BR)GSS) | 30V |
| Установка персональной сети передачи данных |
Qualification Wafer Fab 31/Jul/2014 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | - |
| Устаревание персональной сети передачи данных\конец линии |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Максимальная мощность | 225mW |
| Сопротивление - Служба передачи радиоданных включена | 125 Ohm |
| Серии | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Группа | JFETs (Junction Field Effect) |
| Альтернативные названия | MMBFJ175LT1GOS MMBFJ175LT1GOS-ND MMBFJ175LT1GOSTR |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Отсечка напряжения | 3V @ 10nA |
| Техническое описание |
MMBFJ175LT1 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
