DRA2114E0L
DRA2114E0L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.92 |
| 10 | $0.67 |
| 1000 | $0.17 |
Технические характеристики
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Альтернативные названия | DRA2114E0LCT |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Чертёж |
PNP, NPN Mini Type |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 35 @ 5mA, 10V |
| Серии | - |
| Техническое описание |
DRA2114E View All Specifications |
| Переходная частота | - |
| Максимальная мощность | 200mW |
| Поставляемая упаковка продукта | Mini3-G3-B |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 10k |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
