UNR42160RA
UNR42160RA
1925
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.98 |
| 10 | $0.77 |
| 1000 | $0.27 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
UNR42160RA View all Specifications |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Тип крепления | Through Hole |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Серии | - |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | - |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Максимальная мощность | 300mW |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 4.7k |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Альтернативные названия | UNR42160RACT |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 160 @ 5mA, 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | NS-B1 |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Чертёж |
NS-B1 Type Side NS-B1 Type Front |
| Кейс\упаковка | NS-B1 |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Переходная частота | 150MHz |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
