DTD113ZUT106
DTD113ZUT106
4001
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.92 |
| 10 | $0.77 |
| 1000 | $0.33 |
Технические характеристики
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Альтернативные названия | DTD113ZUT106CT |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 1k |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Серии | - |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Максимальная мощность | 200mW |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 500mA |
| Чертёж |
SOT-323 Package Top |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Кейс\упаковка | SC-70, SOT-323 |
| Техническое описание |
DTD113ZK/ZU |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 82 @ 50mA, 5V |
| Поставляемая упаковка продукта | UMT3 |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Переходная частота | 200MHz |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
