DTD713ZMT2L
DTD713ZMT2L
5592
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.10 |
| 10 | $0.78 |
| 2500 | $0.21 |
Технические характеристики
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | SOT-723 |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 30V |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 200mA |
| Техническое описание |
DTD713ZE,ZM |
| Альтернативные названия | DTD713ZMT2LCT |
| Переходная частота | 260MHz |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 1k |
| Максимальная мощность | 150mW |
| Серии | - |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Поставляемая упаковка продукта | VMT3 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 140 @ 100mA, 2V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
