DTDG14GPT100
DTDG14GPT100
1356
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.20 |
| 10 | $1.00 |
| 500 | $0.55 |
Технические характеристики
| Серии | - |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
DTDG14GP |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Переходная частота | 80MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 300 @ 500mA, 2V |
| Максимальная мощность | 2W |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 60V |
| Чертёж |
SOT-89 Package Top |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Кейс\упаковка | TO-243AA |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | - |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Альтернативные названия | DTDG14GPT100CT |
| Поставляемая упаковка продукта | MPT3 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA (ICBO) |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 1A |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
