STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $15.00 |
| 30 | $12.92 |
| 1020 | $8.51 |
Технические характеристики
| Энергия, затрачиваемая на коммутацию | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Рекомендуемый продукт |
"Tail-Less" 600 V IGBT V Series St Micro - 650 V IGBT HB Series Transistors |
| Альтернативные названия | 497-14234-5 |
| Серии | - |
| Группа | IGBTs - Single |
| Тип биполярного транзистора с изолированным затвором | Trench and Field Stop |
| Тип крепления | Through Hole |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 650V |
| Заряд затвора | 414nC |
| Время восстановления при переключении в обратное направление | 85ns |
| Токосъёмник (импульсн.) | 240A |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тд (ВКЛ\ВЫКЛ) @ 25°C | 84ns/280ns |
| Техническое описание |
STGx(T)80H65DFB |
| Упаковка | Tube |
| Вид ввода данных | Standard |
| Категория в каталоге | Standard IGBTs |
| Напряжение Эмиттера (on) (макс.) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 120A |
| Максимальная мощность | 469W |
| Кейс\упаковка | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Минимальная упаковка шт. | 30 |
| Режим для испытаний | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-3P |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
