STH315N10F7-2
STH315N10F7-2
1000
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1000 | $6.34 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
STH315N10F7-2,STH315N10F7-6 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Группа | FETs - Single |
| Минимальная упаковка шт. | 1,000 |
| Максимальная мощность | 315W |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250??A |
| Включенная служба передачи радиоданных | 2.3 mOhm @ 60A, 10V |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D??Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Заряд затвора | 180nC @ 10V |
| Серии | DeepGATE???, STripFET??? VII |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 12800pF @ 25V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Поставляемая упаковка продукта | H??PAK |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 180A (Tc) |
| Альтернативные названия | 497-14718-2 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
