CSD16323Q3C
CSD16323Q3C
603
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.18 |
| 10 | $2.81 |
| 500 | $1.72 |
Технические характеристики
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 21A (Ta), 60A (Tc) |
| Кейс\упаковка | 8-TDFN Exposed Pad |
| Альтернативные названия | 296-28096-1 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Qualification Revision A 01/Jul/2014 |
| Серии | NexFET™ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Максимальная мощность | 3W |
| Заряд затвора | 8.4nC @ 4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
NexFET MOSFET Technology |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Страница изготовителя продукта |
CSD16323Q3C Specifications |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Видео файл |
PowerStack™ Packaging Technology Overview |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Включенная служба передачи радиоданных | 4.5 mOhm @ 24A, 8V |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SON Exposed Pad (3x3) |
| Ресурсы исполнения |
Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Техническое описание |
CSD16323Q3C |
| Группа | FETs - Single |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
