CSD17312Q5
CSD17312Q5
3215
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $5.12 |
10 | $4.63 |
1000 | $2.40 |
Технические характеристики
Кейс\упаковка | 8-TDFN Exposed Pad |
Серии | NexFET™ |
Упаковка | Digi-Reel® |
Группа | FETs - Single |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 5240pF @ 15V |
Видео файл |
NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Альтернативные названия | 296-27613-6 |
Ресурсы исполнения |
Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer |
Модули обучения обращения с продуктами |
NexFET MOSFET Technology Selecting Voltage References |
Техническое описание |
CSD17312Q5 |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Заряд затвора | 36nC @ 4.5V |
Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Qualification Revision A 01/Jul/2014 |
Установка персональной сети передачи данных |
Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 |
Страница изготовителя продукта |
CSD17312Q5 Specifications |
Дата упаковки |
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013 |
Поставляемая упаковка продукта | 8-SON |
Включенная служба передачи радиоданных | 1.5 mOhm @ 35A, 8V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Тип крепления | Surface Mount |
Максимальная мощность | 3.2W |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА