CSD85312Q3E
CSD85312Q3E
8948
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.16 |
| 10 | $1.92 |
| 1000 | $0.93 |
Технические характеристики
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | FETs - Arrays |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SON (3.3x3.3) |
| Заряд затвора | 15.2nC @ 4.5V |
| Кейс\упаковка | 8-VDFN Exposed Pad |
| Техническое описание |
CSD85312Q3E |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Альтернативные названия | 296-37187-1 |
| Страница изготовителя продукта |
CSD85312Q3E Specifications |
| Серии | NexFET™ |
| Максимальная мощность | 2.5W |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 39A |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
