RN1131MFV(TL3,T)
RN1131MFV(TL3,T)
3000
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.46 |
| 10 | $0.42 |
| 2500 | $0.08 |
Технические характеристики
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 100nA (ICBO) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Поставляемая упаковка продукта | VESM |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 100k |
| Кейс\упаковка | SOT-723 |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Серии | - |
| Альтернативные названия | RN1131MFV(TL3T)CT |
| Техническое описание |
RN1131MFV |
| Переходная частота | - |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 120 @ 1mA, 5V |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | - |
| Максимальная мощность | 150mW |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
