IRFD110PBF
IRFD110PBF
20202
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.86 |
| 10 | $1.63 |
| 1000 | $0.75 |
Технические характеристики
| Включенная служба передачи радиоданных | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 1A (Ta) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Техническое описание |
IRFD110 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250??A |
| Максимальная мощность | 1.3W |
| Чертёж |
IR(F,L)D Series Side 1 IR(F,L)D Series Side 2 |
| Упаковка | Tube |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Кейс\упаковка | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Тип крепления | Through Hole |
| Поставляемая упаковка продукта | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Заряд затвора | 8.3nC @ 10V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Минимальная упаковка шт. | 2,500 |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Альтернативные названия | *IRFD110PBF |
| Серии | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
