SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3
9100
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.56 |
| 10 | $1.37 |
| 1000 | $0.62 |
Технические характеристики
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Включенная служба передачи радиоданных | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Техническое описание |
SI3459BDV |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Альтернативные названия | SI3459BDV-T1-GE3CT |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | FETs - Single |
| Максимальная мощность | 3.3W |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-TSOP |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 350pF @ 30V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Серии | TrenchFET® |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Заряд затвора | 12nC @ 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
