SI4386DY-T1-E3
SI4386DY-T1-E3
5000
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2500 | $1.02 |
Технические характеристики
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250??A |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Максимальная мощность | 1.47W |
| Альтернативные названия | SI4386DY-T1-E3TR SI4386DYT1E3 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 7 mOhm @ 16A, 10V |
| Серии | TrenchFET?? |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
Si4386DY |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 11A (Ta) |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Заряд затвора | 18nC @ 4.5V |
| Минимальная упаковка шт. | 2,500 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
