SI5517DU-T1-GE3
SI5517DU-T1-GE3
5749
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.70 |
| 10 | $2.39 |
| 1000 | $1.16 |
Технические характеристики
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Альтернативные названия | SI5517DU-T1-GE3CT |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Включенная служба передачи радиоданных | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Максимальная мощность | 8.3W |
| Серии | TrenchFET® |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6A |
| Группа | FETs - Arrays |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Техническое описание |
SI5517DU |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Заряд затвора | 16nC @ 8V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
