SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1
22093
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.04 |
| 10 | $0.88 |
| 1000 | $0.37 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Группа | FETs - Single |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Упаковка | Digi-Reel?? |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250??A |
| Максимальная мощность | 500mW |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 330pF @ 15V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Альтернативные названия | SI8808DB-T2-E1DKR |
| Кейс\упаковка | 4-UFBGA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Включенная служба передачи радиоданных | 95 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Техническое описание |
Si8808DB |
| Серии | TrenchFET?? |
| Заряд затвора | 10nC @ 8V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
