SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3
109
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.98 |
| 10 | $3.60 |
| 100 | $2.89 |
Технические характеристики
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Заряд затвора | 45nC @ 10V |
| Группа | FETs - Arrays |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1830pF @ 15V |
| Техническое описание |
SIZ900DT |
| Серии | TrenchFET?? |
| Альтернативные названия | SIZ900DT-T1-GE3CT |
| Кейс\упаковка | 6-PowerPair??? |
| Включенная служба передачи радиоданных | 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-PowerPair??? |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250??A |
| Максимальная мощность | 48W, 100W |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 24A, 28A |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Рекомендуемый продукт |
PowerPAIR?? |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
