Силовые полупроводники Infineon CoolGaN™ для компактных источников питания
Семейство силовых полупроводников Infineon CoolGaN™ создано для повышения эффективности маломощных импульсных источников питания (SMPS), используемых в адаптерах, зарядных устройствах и другой потребительской электронике. Технология на основе нитрида галлия (GaN) позволяет значительно повысить КПД, уменьшить размеры устройств и сохранить конкурентоспособную стоимость готовых решений. Линейки CoolGaN™ 650 V G5 и 700 V G5 обеспечивают высокую эффективность работы на повышенных частотах переключения, что способствует снижению размеров магнитных компонентов и улучшению общей энергоэффективности системы. Устройства выпускаются в различных корпусах, включая ThinPAK с охлаждением через основание, DFN, TOLL и DPAK, что упрощает интеграцию в компактные конструкции. Серия CoolGaN™ Dual 650 V G5 объединяет два транзистора в полумостовой конфигурации в компактном корпусе QFN размером 6 × 8 мм. Такое решение подходит для зарядных устройств высокой плотности мощности, осветительных систем и приводов малой мощности. Семейство CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 дополнительно включает встроенный драйвер затвора, схему сдвига уровня и bootstrap-диод. Благодаря высокой степени интеграции уменьшается количество внешних компонентов, упрощается проектирование и достигается ещё большая плотность мощности. Решения Infineon CoolGaN™ помогают создавать более компактные, лёгкие и энергоэффективные устройства, отвечающие современным требованиям к производительности и энергосбережению.
