C2M0080120D
C2M0080120D
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $31.26 |
| 1 | $31.26 |
| 1 | $31.26 |
Технические характеристики
| Включенная служба передачи радиоданных | 98 mOhm @ 20A, 20V |
| Рекомендуемый продукт |
Cree - C2M Family of Silicon Carbide Power MOSFETs |
| Тип полевого транзистора | SiCFET N-Channel, Silicon Carbide |
| Категория в каталоге | Silicon Carbide (SiC) Standard FETs |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Техническое описание |
C2M0080120D |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-247-3 |
| Примечание по применению генератора магнитного поля |
SiC MOSFET Isolated Gate Driver |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 950pF @ 1000V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 31.6A (Tc) |
| Заряд затвора | 49.2nC @ 20V |
| Кейс\упаковка | TO-247-3 |
| Максимальная мощность | 208W |
| Сопутствующий материал | |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Минимальная упаковка шт. | 30 |
| Серии | Z-FET??? |
| Тип крепления | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
