DDTD113ZC-7-F
DDTD113ZC-7-F
4570
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.66 |
| 10 | $0.54 |
| 1000 | $0.13 |
Технические характеристики
| Тип крепления | Surface Mount |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Чертёж |
SOT-23 Side SOT-23 Top DDTCxxxT(CA,UA,E) Circuit |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Информация относительно правил ограничения содержания вредных веществ |
RoHS Cert of Compliance |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Альтернативные названия | DDTD113ZC-7-FDICT DDTD113ZC-7-FDICT-ND DDTD113ZC-7FDICT |
| Техническое описание |
DDTD (zzzz) C |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 500mA |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Максимальная мощность | 200mW |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Переходная частота | 200MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 56 @ 50mA, 5V |
| Серии | - |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 1k |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
