DDTD122LU-7-F
DDTD122LU-7-F
12000
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.12 |
| 6000 | $0.11 |
Технические характеристики
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Информация относительно правил ограничения содержания вредных веществ |
RoHS Cert of Compliance |
| Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Переходная частота | 200MHz |
| Альтернативные названия | DDTD122LU-FDITR DDTD122LU7F |
| Кейс\упаковка | SC-70, SOT-323 |
| Серии | - |
| Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
| Чертёж |
SOT-323 Side SOT-323 Top DDTC, DDTD Series Circuit |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-323 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Техническое описание |
DDTD - LO-R1 - U |
| Максимальное напряжение для токосъемника | 500mA |
| Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 220 |
| Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Bond Wire 11/Nov/2011 |
| Максимальная мощность | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 56 @ 50mA, 5V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
