DMG4N65CT
DMG4N65CT
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.46 |
| 50 | $1.97 |
| 1000 | $1.06 |
Технические характеристики
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 4A (Tc) |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220-3 |
| Максимальная мощность | 2.19W |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA |
| Серии | - |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Альтернативные названия | DMG4N65CTDI |
| Группа | FETs - Single |
| Техническое описание |
DMG4N65CT |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Информация относительно правил ограничения содержания вредных веществ |
RoHS Cert of Compliance |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Включенная служба передачи радиоданных | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650V |
| Заряд затвора | 13.5nC @ 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Tube |
| Тип крепления | Through Hole |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА

