FDD8778
FDD8778
4635
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.68 |
10 | $1.47 |
1000 | $0.67 |
Технические характеристики
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Техническое описание |
FDD8778/FDU8778 |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 845pF @ 13V |
Максимальная мощность | 39W |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 35A (Tc) |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Заряд затвора | 18nC @ 10V |
Группа | FETs - Single |
Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Тип крепления | Surface Mount |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
Альтернативные названия | FDD8778CT |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Switches for Power Processing |
Дата упаковки |
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 |
Серии | PowerTrench® |
Поставляемая упаковка продукта | D-Pak |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Включенная служба передачи радиоданных | 14 mOhm @ 35A, 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА